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幹貨!4大類氣流粉碎機的工作原理及特點!

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幹貨!4大類氣流粉碎機的工作原理及特點!

發布日期:2019-05-05 作者: 點擊:

氣流粉碎是最常用的超細粉碎方式之一,廣泛應用於非金屬礦、藥品、化工、冶金等行業物料的超細粉碎或細粉碎,具有產品粒度細、粒度分布窄、顆粒表麵光滑、顆粒規則、純度高、活性大等特點。

目前,工業上常用的氣流粉碎設備主要有:扁平式氣流粉碎機、循環管式氣流磨、對噴式氣流粉碎機、流化床氣流粉碎機。

 1  扁平式氣流粉碎機

扁平式氣流粉碎機,也稱圓盤式氣流磨,是美國Fluid Energy公司在1934年研製成功的,是工業上應用最早和最廣泛的氣流粉碎機。

(1)工作原理

物料經加料口由噴射式加料器的噴嘴加速,導入粉碎室,在旋轉氣流帶動下發生相互碰撞、摩擦、剪切而粉碎;

細粉被氣流推到粉碎室中心出口管,在旋風分離器中呈螺旋狀運動緩降到貯鬥中;廢氣由廢氣排出管排出;粗粒在離心作用下被甩到粉碎室周壁作循環粉碎。

(2)性能特點

優點:結構簡單,操作方便,拆卸、清理、維修容易,並能自動分級。

缺點:當被粉碎的物料速度較高時,隨氣流高速運動與磨腔內壁會產生劇烈的衝擊、摩擦、剪切作用,導致粉碎室壁的磨損,並造成粉體的汙染,尤其是對於硬度很高的材料(如碳化矽,氧化矽),磨損更嚴重。

粉碎室的內壁應選用超硬、高耐磨的材料製造。例如剛玉、氧化鋯、超硬合金等。扁平式氣流磨不適合於超硬、高純材料的超細粉碎。

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 2  循環管式氣流磨

循環管式氣流磨,又稱為立式環形噴射式氣流磨,也具有內分級作用。可分為等圓截麵和變截麵循環管式氣流磨。其中用得最多的是JOM係列(也稱O型)變截麵循環管式氣流磨。

(1)工作原理

物料顆粒高速進行粉碎區後,高壓空氣帶動顆粒沿管道運動。

由於管道呈O型,內外圈半徑不同,內外層物料運動路徑及速度都不同。

各層物料顆粒之間產生相對運動,發生摩擦、剪切、碰撞粉碎作用。

同時,由於離心力的作用,密集的顆粒流分層,粗粒處在外層,細粒在內層並向內聚集,最後由排料口排出,粗粒則繼續粉碎。

(2)性能特點

優點:主機結構簡單,操作方便;粉碎的同時具有自動分級功能;主機設備體積小,生產能力大;產品細度好,可至3~0.2μm。

缺點:氣流與物料對管內壁的衝刷、磨損太嚴重,因此不適合硬度較高的材料的細化。粉碎效率是各類氣流磨中最低的,能耗最大。

 3  對噴式氣流粉碎機

對噴式氣流粉碎機,又稱逆向噴射磨,是一種物料在超音速氣流中自身產生對撞而實現超細粉碎的裝置。

(1)工作原理

物料由料鬥進入,被加料噴嘴噴出的高速氣流噴入粉碎室,同時粉碎噴嘴將分級室落下的粗粒噴入粉碎室,物料對撞並被粉碎後,隨氣流上升至分級室。

在分級室,氣流形成主旋流,使顆粒發生分級。由於粗粉位於分級室外圍,在氣流帶動下,退回粉碎室進一步粉碎,細粉經中間出口排到機外進行氣固分離和產品回收。

(2)性能特點

優點:生產能力大,避免了顆粒對管壁的磨損以及管壁材料對粉粒的汙染,能生產物料硬度較高的超細粉。

缺點:結構複雜、體積龐大、能耗高,氣固混合流對粉碎室及管道仍有一定磨損。

對噴式氣流粉碎機利用相對運動的氣流,顆粒從第一次撞擊開始就依靠相互之間的衝撞,減少了對管壁的磨損和對產品的汙染,可以加工較硬的物料。

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 4  流化床氣流粉碎機

流化床對撞式氣流粉碎機是將對噴原理與流化床中膨脹氣體噴射流相結合,主要體現在節約能量、加工能力強、磨損小、結構緊湊、體積小、溫升少等方麵,可視為當前最為先進的機型。

(1)工作原理

物料通過閥門進入料倉,螺旋將物料送入研磨室;空氣通過逆噴嘴噴入研磨室使物料呈流態化。

被加速的物料在各噴嘴交匯點匯合,在此,顆粒互相衝撞、摩擦、剪切而粉碎。

粉碎的物料由上升氣流輸送至渦輪式超細分級器,細粉產品經出口排出,較粗的顆粒沿機壁返回磨礦室,尾氣進入除塵器排出。

(2)性能特點

優點:粉碎效率高,能耗低:氣流帶顆粒呈多角度對撞,作用力大,粉粒的受力複雜,外加的能量被粉粒充分吸收,噴射功損耗少;把流化床原理與平臥式渦輪超細分級器相結合,使細料及時排出,減少了因細粉過粉碎而損失的能量。與圓盤式氣流磨相比,平均能耗減少30~50%。粉碎效率高,能耗低。

磨損輕,汙染少:從第一次撞擊,粉粒主要是進行相互之間的衝撞,對室外壁衝撞少。

設備體積小,占地麵積少:在同等生產能力的前提下,流化床對撞式氣流磨比圓盤式氣流磨體積減少10~15%,占地麵積減少15~30%。

自動化程度高,噪聲小,生產能力大,適合於大規模工業化生產。

缺點:顆粒不斷高速衝擊分級葉片,在生產超硬粉粒時,分級葉片的磨損仍很嚴重。應用:高硬物料、高純物料、難粉碎層狀非金屬礦、熱敏性和密集氣孔性物料等。

本文網址:http://www.stpascalresidence.com/news/429.html

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